參數資料
型號: ST10F252M-4T3
廠商: STMICROELECTRONICS
元件分類: 微控制器/微處理器
英文描述: 16-BIT, FLASH, 40 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP100
封裝: 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LQFP-100
文件頁數: 136/328頁
文件大小: 3111K
代理商: ST10F252M-4T3
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Power reduction modes
ST10F252M
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in stand-by mode) lower than the output level forced by the I/O lines of these external
integrated circuits, the ST10F252M could be directly powered through the inherent diode
existing on ST10F252M output driver circuitry. The same is valid for ST10F252M interfaced
to active or inactive communication buses during stand-by mode: current injection can be
generated through the inherent diode. Furthermore, the sequence of turning on/off of the
different voltage could be critical for the system (not only for the ST10F252M device). The
device stand-by mode current (ISTBY) may vary while VDD to VSTBY (and vice versa)
transition occurs. Some current flows between VDD and VSTBY pins. System noise on both
VDD and VSTBY can contribute to increase this phenomenon.
21.3.1
Entering stand-by mode
To enter stand-by mode XRAM2EN and XRAM1EN bits in the XPERCON register must be
cleared (this bit is automatically reset by any kind of RESET event, see Chapter 20); this
immediately freezes the RAM interface, avoiding any data corruption. As a consequence of
a RESET event, the RAM power supply is switched to the internal low-voltage supply, V18SB
(derived from VSTBY through the low-power voltage regulator). The RAM interface remains
frozen until the bits XRAM1EN and XRAM2EN are set again by software initialization routine
(at next exit from main VDD power-on reset sequence).
Since V18 is falling (as a consequence of VDD turning off), it can happen that the XRAM2EN
bit is no longer able to guarantee its content (logic “0”), as the XPERCON register is
powered by the internal V18. This does not generate any problem, because the Stand-by
mode dedicated switching circuit continues to confirm the freezing of the RAM interface,
irrespective the XRAM2EN bit content. The XRAM2EN bit status is considered again when
internal V18 comes back over internal stand-by reference V18SB.
If internal V18 becomes lower than the internal stand-by reference (V18SB) of about 0.3-
0.45V with bit XRAM2EN set, the RAM supply switching circuit is not active. If there is a
temporary drop on internal V18 voltage versus internal V18SB during normal code execution,
no spurious stand-by mode switching can occur (the RAM is not frozen and can still be
accessed).
The ST10F252M core module, generating the RAM control signals, is powered by the
internal V18 supply. During turning off, these control signals follow the V18, while RAM is
switched to the V18SB internal reference. It could happen that a high level of RAM write
strobe from ST10F252M core (active low signal) is low enough to be recognized as a logic
“0” by the RAM interface (due to V18 lower than V18SB); the bus status could contain a valid
address for the RAM and an unwanted data corruption could occur. For this reason, an extra
interface, powered by the switched supply, is used to prevent the RAM from this kind of
potential corruption mechanism.
Warning:
During power-off phase, it is important that the external
hardware maintains a stable ground level on RSTIN pin,
without any glitch, to avoid spurious exiting from reset status
with unstable power supply.
相關PDF資料
PDF描述
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ST10F269Z2Q6 16-BIT, FLASH, 40 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP144
ST10F276Z5Q3 16-BIT, MROM, 64 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP144
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