參數(shù)資料
型號(hào)： SIB412DK-T1-GE3
廠商： VISHAY SILICONIX
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 6.6 A, 20 V, 0.034 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： HALOFEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, SC-75, POWERPAK-6
文件頁(yè)數(shù)： 5/9頁(yè)
文件大?。?/td> 221K
代理商： SIB412DK-T1-GE3
Document Number: 70439
S-80515-Rev. C, 10-Mar-08
www.vishay.com
5
Vishay Siliconix
SiB412DK
New Product
TYPICAL CHARACTERISTICS
25 °C, unless otherwise noted
* The power dissipation P
D
is based on T
J(max)
= 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
Current Derating*
0
3
6
9
12
15
1
8
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- Case Temperat
u
re (°C)
I
D
u
r
Power Derating
0
4
8
12
16
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- Case Temperat
u
re (°C)
P
w
e
W
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SIDC03D60F 6 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SIDC04D60F 9 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SIDC14D120E 15 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SIHF640L-E3 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
SIHF640STR-E3 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SIB413DK-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 9.0A 13W 75mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SIB414DK-T1-E3 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 8V 7.9A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R
SIB414DK-T1-GE3 功能描述:MOSFET 8.0V 9.0A 13W 26mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SIB415DK 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SIB415DK-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 9.0A 13W 87mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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