參數(shù)資料
型號(hào)： SIB412DK-T1-GE3
廠商： VISHAY SILICONIX
元件分類： JFETs
英文描述： 6.6 A, 20 V, 0.034 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： HALOFEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, SC-75, POWERPAK-6
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大?。?/td> 221K
代理商： SIB412DK-T1-GE3
www.vishay.com
4
Document Number: 70439
S-80515-Rev. C, 10-Mar-08
Vishay Siliconix
SiB412DK
New Product
TYPICAL CHARACTERISTICS
25 °C, unless otherwise noted
Soure-Drain Diode Forward Voltage
Threshold Voltage
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0.0
0.2
0.4
0.6
0.
8
1.0
1.2
-
u
r
u
r
I
S
V
SD
- So
u
rce-to-Drain
V
oltage (
V
)
T
J
= 25 °C
T
J
= 150 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.
8
1.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250
μ
A
T
J
- Temperat
u
re (°C)
V
G
V
)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
V
GS
- Gate-to-So
u
rce
V
oltage (
V
)
0.00
0.02
0.04
0.06
0.0
8
0.10
0
1
2
3
4
5
T
A
= 25 °C
-
Ω
)
R
D
T
A
= 125 °C
I
D
= 6.6 A
1000
100
1
0.001
0.01
0.1
10
P
w
e
W
)
P
u
lse (s)
20
10
5
15
0
Safe Operating Area, Junction-to-Case
0.001
0.01
0.1
1
10
100
-
u
r
I
D
0.1
1
10
100
T
= 25 °C
Single P
u
lse
1 ms
10 ms
100 ms
DC
1 s
10 s
Limited
b
y R
DS(on)
*
V
DS
- Drain-to-So
u
rce
V
oltage (
V
)
minim
u
m
V
GS
at
w
hich R
DS(on)
is specified
*
V
GS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SIDC03D60F 6 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SIDC04D60F 9 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SIDC14D120E 15 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SIHF640L-E3 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
SIHF640STR-E3 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SIB413DK-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 9.0A 13W 75mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SIB414DK-T1-E3 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 8V 7.9A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R
SIB414DK-T1-GE3 功能描述:MOSFET 8.0V 9.0A 13W 26mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SIB415DK 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SIB415DK-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 9.0A 13W 87mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*