參數(shù)資料
型號： SIB412DK-T1-GE3
廠商： VISHAY SILICONIX
元件分類： JFETs
英文描述： 6.6 A, 20 V, 0.034 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： HALOFEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, SC-75, POWERPAK-6
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 221K
代理商： SIB412DK-T1-GE3
Document Number: 70439
S-80515-Rev. C, 10-Mar-08
www.vishay.com
3
Vishay Siliconix
SiB412DK
New Product
TYPICAL CHARACTERISTICS
25 °C, unless otherwise noted
Output Characteristics
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
Gate Charge
0
4
8
12
16
20
0.0
0.6
1.2
1.
8
2.4
3.0
V
GS
= 5 thr
u
2
V
V
DS
- Drain-to-So
u
rce
V
oltage (
V
)
-
u
r
I
D
V
GS
= 1
V
V
GS
= 1.5
V
0.000
0.025
0.050
0.075
0.100
0
4
8
12
16
20
-
Ω
)
R
D
I
D
- Drain C
u
rrent (A)
V
GS
= 4.5
V
V
GS
= 1.
8
V
V
GS
= 2.5
V
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-
u
r
V
o
V
)
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
V
G
V
DS
= 10
V
V
DS
= 16
V
Transfer Characteristics
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
0
1
2
3
4
5
0.0
0.4
0.
8
1.2
1.6
2.0
2.4
T
J
= 125 °C
V
GS
- Gate-to-So
u
rce
V
oltage (
V
)
-
u
r
I
D
T
J
= 25 °C
T
J
= - 55 °C
C
oss
C
rss
0
200
400
600
8
00
0
4
8
12
16
20
V
DS
- Drain-to-So
u
rce
V
oltage (
V
)
C
C
iss
(
N
o
-
R
D
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.
8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- J
u
nction Temperat
u
re (°C)
V
GS
= 4.5
V
, I
D
= 6.6 A
V
GS
= 2.5
V
, I
D
= 5.5 A
V
GS
= 1.
8
V
, I
D
= 1.
8
0 A
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PDF描述
SIDC03D60F 6 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SIDC04D60F 9 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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參數(shù)描述
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