參數(shù)資料
型號(hào)： SIDC03D60F
廠(chǎng)商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類(lèi)： 參考電壓二極管
英文描述： 6 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： DIE
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大小： 66K
代理商： SIDC03D60F
Preliminary
SIDC03D60F
Edited by INFINEON technologies AI IP DD HV2, L 4324E, Edition 1, 30.08.2000
Fast switching diode chip in EMCON-Technology
This chip is used for:
EUPEC power modules and
discrete devices
FEATURES:
600V EMCON technology 70 μm chip
soft , fast switching
low reverse recovery charge
small temperature coefficient
Applications:
SMPS, resonant applications,
drives
A
C
Chip Type
V
CE
I
Cn
Die Size
Package
Ordering Code
Q67050-A4037-
A001
SIDC03D60F
600V
6A
1.20 x 2.25 mm
2
sawn on foil
MECHANICAL PARAMETER:
Raster size
1.20 x 2.25
Area total / active
2.70 / 1.45
Anode pad size
1.77 x 0.72
mm
2
Thickness
70
μm
Wafer size
125
mm
Flat position
180
deg
Max. possible chips per wafer
3465
Passivation frontside
Photoimide
Anode metalization
3200 nm Al Si 1%
Cathode metalization
1400 nm Ni Ag –system
suitable for epoxy and soft solder die bonding
Die bond
electrically conductive glue or solder
Wire bond
Al,
≤
250μm
Reject Ink Dot Size
tbd
Recommended Storage Environment
store in original container, in dry nitrogen,
< 6 month
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SIDC04D60F 9 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SIDC14D120E 15 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SIHF640L-E3 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
SIHF640STR-E3 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
SIHF730S-E3 5.5 A, 400 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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SIDC03D60F6_10 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:Fast switching diode 600V Emitter Controlled technology 70 μm chip
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SIDC04D60F6_10 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:Fast switching diode 600V Emitter Controlled technology 70 μm chip soft , fast switching
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