參數(shù)資料
型號： SIDC03D60F
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 6 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： DIE
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 66K
代理商： SIDC03D60F
Preliminary
SIDC03D60F
Edited by INFINEON technologies AI IP DD HV2, L 4324E, Edition 1, 30.08.2000
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Condition
Value
Unit
Repetitive peak reverse voltage
Continous forward current limited by
T
jmax
Single pulse forward current
(depending on wire bond configuration)
Maximum repetitive forward current
limited by T
jmax
Operating junction and storage
temperature
V
RRM
600
V
I
F
6
I
FSM
t
P
= 10 ms sinusoidal
tbd
I
FRM
12
A
T
j
,
T
stg
-55...+150
°
C
Static Electrical Characteristics
(tested on chip),
T
j=25
°
C, unless otherwise specified
Value
min.
Parameter
Symbol
Conditions
Typ.
max.
Unit
Reverse leakage current
I
R
V
Br
V
R
=600V
T
j
=25
°
C
250
μA
Cathode-Anode
breakdown Voltage
I
R
=500μA
T
j
=25°C
600
V
Forward voltage drop
V
F
I
F
=6A
T
j
=25
°
C
1.6
V
Dynamic Electrical Characteristics
,
at
T
j
= 25
°
C, unless otherwise specified, tested at component
Value
Parameter
Symbol
Conditions
min.
Typ.
max.
Unit
t
rr1
I
F
=6A
T
j
= 25 °C
tbd
Reverse recovery time
t
rr2
di/dt=22.6A/
m
s
V
R
=300V
I
F
=6A
T
j
= 150 °C
65
ns
I
RRM1
T
j
= 25 °C
tbd
Peak recovery current
I
RRM2
di/dt=22.6A/
m
s
V
R
= 300V
T
j
= 150 °C
6.7
A
Q
rr1
T
j
=25
°
C
tbd
Reverse recovery charge
Q
rr2
I
F
=6A
di/dt=22.6A/
m
s
V
R
= 300V
T
j
=150
°
C
330
nC
di
rr1
/dt
di
rr2
/dt
T
j
=
25
°
C
T
j
=150
°
C
tbd
Peak rate of fall of reverse
recovery current
I
F
=6A
di/dt=22.6A/
m
s
V
R
= 300V
I
F
=6A
225
A/
μ
s
S1
T
j
=25
°
C
tbd
Softness
S2
di/dt=22.6A/
m
s
V
R
= 300V
T
j
=150
°
C
1.02
1
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PDF描述
SIDC04D60F 9 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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