參數(shù)資料
型號(hào)： Si9910
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Adaptive Power MOSFET Driver(可調(diào)功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器)
中文描述： 自適應(yīng)功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器（可調(diào)功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)器）
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 117K
代理商： SI9910
Si9910
Vishay Siliconix
S-60752—Rev. F, 05-Apr-99
2
FaxBack 408-970-5600, request 70009
www.siliconix.com
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Voltages Referenced to V
SS
Pin
V
DD
Supply Range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-0.3 V to 18 V
Pin 1, 4, 5, 7, 8 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-0.3 V to V
DD
+ 0.3 V
Pin 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-0.7 V to V
DD
+ 0.3 V
Input Current. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±20 mA
Peak Current (I
pk
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1 A
Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65 to 150
°
C
Operating Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-40 to 85
°
C
Junction Temperature (T
J
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .150
°
C
Power Dissipation (Package)
a
8-Pin SOIC (Y Suffix). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700 mW
8-Pin Plastic DIP (J Suffix)
b
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700 mW
Notes
a. Device mounted with all leads soldered or welded to PC board.
b. Derate 5.6 mW/
°
C above 25
°
C.
Notes
a. Refer to PROCESS OPTION FLOWCHART for additional information.
b. Typical values are for DESIGN AID ONLY, not guaranteed nor subject to production testing.
c. The algebraic convention whereby the most negative value is a minimum and the most positive a maximum.
SPECIFICATIONS
a
Parameter
Symbol
Test Conditions
Unless Otherwise Specified
V
10.8 V to 16.5 V
T
A
= OperatingTemperature
Range
Limits
Unit
Min
c
Typ
b
Max
c
Input
High Level Input Voltage
V
IH
V
IL
V
h
I
IH
I
IL
0.70 x V
DD
7.4
V
Low Level Input Voltage
6.0
0.35 x V
DD
3.0
Input Voltage Hysteresis
0.90
2.0
High Level Input Current
V
IN
= V
DD
V
IN
= 0 V
±1
μ
A
Low Level Input Current
Output
±1
High Level Output Voltage
V
OH
V
OL
V
UVLO
I
OH
= -200 mA
I
OL
= 200 mA
V
DD
- 3
10.7
V
Low Level Output Voltage
1.3
3
Undervoltage Lockout
8.3
9.2
10.6
I
SENSE
Pin Threshold
V
TH
Max I
= 2 mA, Input High
100 mV Change on Drain
0.5
0.66
0.8
Voltage Drain-Source
Maximum
V
DS
Input High
8.3
9.1
10.2
Input Current for V
DS
Input
Peak Output Source Current
I
VDS
I
OS+
I
OS-
12
20.0
μ
A
1
A
Peak Output Sink Current
Supply
-1
Supply Range
V
DD
I
DD1
I
DD2
10.8
16.5
V
Supply Current
Output High, No Load
0.1
1
μ
A
Output Low, No Load
100
500
Dynamic
Propagation Delay Time Low to
High Level
t
PLH
C
L
= 2000 pF
120
ns
Propagation Delay Time High
to Low Level
t
PHL
135
Rise Time
t
r
t
f
50
Fall Time
35
Overcurrent Sense Delay (V
DS
)
Input Capacitance
t
DS
C
in
1
μ
S
5
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI9926BDY Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI9926ADY Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI9926DY Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
SI9934BDY Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI9934BDY-T1-E3 Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
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參數(shù)描述
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SI9910DJ-E3 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
SI9910DJ-T1 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Adaptive Power MOSFET Driver1
SI9910DY 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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