參數(shù)資料
型號： SI9934BDY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道的2.5 V（GS）的MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 55K
代理商： SI9934BDY
FEATURES
TrenchFET Power MOSFET
Si9934BDY
Vishay Siliconix
Document Number: 72525
S-41578—Rev. C, 23-Aug-04
www.vishay.com
1
Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
12
0.035 @ V
GS
=
4.5 V
6.4
0.056 @ V
GS
=
2.5 V
5.1
S
1
D
1
G
1
D
1
S
2
D
2
G
2
D
2
SO-8
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
S
1
G
1
D
1
P-Channel MOSFET
S
2
G
2
D
2
P-Channel MOSFET
Ordering Information:
Si9934BDY—E3
Si9934BDY-T1—E3 (with Tape and Reel)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
12
V
Gate-Source Voltage
V
GS
8
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
6.4
4.8
T
A
= 70 C
5.1
3.9
A
Pulsed Drain Current
I
DM
20
continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
1.7
0.9
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
2.0
1.1
W
T
A
= 70 C
1.3
0.7
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
10 sec
R
thJA
55
62.5
Steady State
90
110
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
33
40
Notes
a.
Surface Mounted on 1 ” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI9934BDY-T1-E3 Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI9934BDY-E3 Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI9934DY Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
SI9936BDY SPICE Device Model Si9936BDY
SI9936DY N-channel enhancement mode field-effect transistor
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SI9934DY 功能描述:MOSFET SO8 DUAL PCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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