型號: | SI7403BDN |
廠商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
元件分類: | MOSFETs |
英文描述: | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold |
中文描述: | P通道20 - V(下局副局長)MOSFET的低閾值 |
文件頁數: | 7/8頁 |
文件大?。?/td> | 115K |
代理商: | SI7403BDN |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
SI7403DN | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold |
SI7407DN | P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
SI7413DN | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
SI7413DN-T1-E3 | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold |
SI7439DP | P-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
---|---|
SI7403BDN-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 8.0A 9.6W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI7403BDN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 8.0A 9.6W 74mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI7403DN | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
SI7403DN-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI7404DN | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET |