參數(shù)資料
型號(hào)： SI7407DN
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
中文描述： P溝道12 V的（副）MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 53K
代理商： SI7407DN
FEATURES
TrenchFET Power MOSFETS: 1.8-V Rated
New Low Thermal Resistance PowerPAK
Package with Low 1.07-mm Profile
Ultra-Low r
DS(on)
APPLICATIONS
Load Switch
PA Switch
Battery Switch
Si7407DN
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71912
S-22122—Rev. B, 25-Nov-02
www.vishay.com
1
P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.012 @ V
GS
= -4.5 V
-15.6
-12
0.016 @ V
GS
= -2.5 V
- 13.5
0.024 @ V
GS
= -1.8 V
- 11
P-Channel MOSFET
D
G
S
1
2
3
4
5
6
7
8
S
S
S
G
D
D
D
D
3.30 mm
3.30 mm
PowerPAK 1212-8
Bottom View
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
-12
Gate-Source Voltage
V
GS
8
V
T
A
= 25 C
- 15.6
-9.9
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 85 C
I
D
- 11.2
-7.2
Pulsed Drain Current
I
DM
-30
A
continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
-3.2
-1.3
T
A
= 25 C
3.8
1.5
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 85 C
P
D
2.0
0.8
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
t
10 sec
26
33
Maximum Junction-to-Ambient
a
Steady State
R
thJA
65
81
C/W
Maximum Junction-to-Case
Steady State
R
thJC
1.9
2.4
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI7413DN P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7413DN-T1-E3 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
SI7439DP P-Channel 150-V (D-S) MOSFET
Si7439DP-T1-E3 P-Channel 150-V (D-S) MOSFET
SI7445DP P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
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參數(shù)描述
SI7407DN-T1 功能描述:MOSFET 12V 15.6A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7407DN-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 15.6A 3.8W 12mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7407DN-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 15.6A 3.8W 12mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7409ADN-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 11A 3.8W 19mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7409ADN-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 11A 3.8W 19mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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