型號: | SI7407DN |
廠商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
英文描述: | P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
中文描述: | P溝道12 V的(副)MOSFET的 |
文件頁數: | 4/5頁 |
文件大?。?/td> | 53K |
代理商: | SI7407DN |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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SI7413DN | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
SI7413DN-T1-E3 | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold |
SI7439DP | P-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
Si7439DP-T1-E3 | P-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
SI7445DP | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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SI7407DN-T1 | 功能描述:MOSFET 12V 15.6A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI7407DN-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 12V 15.6A 3.8W 12mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI7407DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 15.6A 3.8W 12mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI7409ADN-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 11A 3.8W 19mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI7409ADN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 11A 3.8W 19mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |