參數(shù)資料
型號(hào)： SI7445DP
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
中文描述： P通道20 - V（下局副局長）MOSFET的低閾值
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 41K
代理商： SI7445DP
FEATURES
TrenchFET Power MOSFET
New Low Thermal Resistance PowerPAK
Package with Low 1.07-mm Profile
100% R
g
Tested
APPLICATIONS
Load Switch Battery Applications
Si7445DP
Vishay Siliconix
Document Number: 71626
S-31728—Rev. B, 18-Aug-03
www.vishay.com
1
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.0077 @ V
GS
= -4.5 V
-19
-20
0.0094 @ V
GS
= -2.5 V
-17
0.0125 @ V
GS
= -1.8 V
-15
1
2
3
4
5
6
7
8
S
S
S
G
D
D
D
D
6.15 mm
5.15 mm
PowerPAK SO-8
Bottom View
S
G
D
P-Channel MOSFET
Ordering Information: Si7445DP-T1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
-20
V
Gate-Source Voltage
V
GS
8
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
-19
-12
T
A
= 70 C
-15
-9
A
Pulsed Drain Current
I
DM
-50
continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
-4.3
-1.6
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
5.4
1.9
W
T
A
= 70 C
3.4
1.2
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
10 sec
R
thJA
18
23
Steady State
52
65
C/W
Maximum Junction-to-Case (Drain)
Steady State
R
thJC
1.0
1.3
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI7446DP SPICE Device Model Si7446DP
SI7447DP P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7452DP N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET
SI7456DP 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
SI7456DP-T1 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI7445DP-T1 功能描述:MOSFET 20V 19A 5.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7445DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 19A 5.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7445DP-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET
SI7445DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 19A 5.4W 7.7mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7446BDP-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 19A 1.9W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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