參數(shù)資料
型號： SI7445DP
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
中文描述： P通道20 - V（下局副局長）MOSFET的低閾值
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 41K
代理商： SI7445DP
Si7445DP
Vishay Siliconix
Document Number: 71626
S-31728—Rev. B, 18-Aug-03
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
0.000
0.006
0.012
0.018
0.024
0.030
0
2
4
6
8
-
r
D
)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.000
0.004
0.008
0.012
0.016
0.020
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
0
20
40
60
80
100
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
3000
6000
9000
12000
15000
0
4
8
12
16
20
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 15 V
I
D
= 19 A
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 19 A
V
GS
= 1.8 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
-
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
-
r
D
)
I
D
- Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
-
r
D
)
T
J
= 25 C
I
D
= 19 A
50
10
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
-
I
S
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 2.5 V
T
J
= 150 C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI7446DP SPICE Device Model Si7446DP
SI7447DP P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7452DP N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET
SI7456DP 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
SI7456DP-T1 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SI7445DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 19A 5.4W 7.7mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7446BDP-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 19A 1.9W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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