參數(shù)資料
型號： SI7403DN
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
中文描述： P通道20 - V（下局副局長）MOSFET的低閾值
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 41K
代理商： SI7403DN
TrenchFET Power MOSFETS: 2.5-V Rated
New PowerPAK Package
– Low Thermal Resistance, R
thJC
– Low 1.07-mm Profile
Load Switching
PA Switching
Si7403DN
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71431
S-03390—Rev. A, 02-Apr-01
www.vishay.com
1
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.1 @ V
GS
= –4.5 V
–4.5
–20
0.135 @ V
GS
= –2.5 V
–3.8
P-Channel MOSFET
D
D
G
S
D
D
S
S
1
2
3
4
5
6
7
8
S
S
S
G
D
D
D
D
3.30 mm
3.30 mm
PowerPAK 1212-8
Bottom View
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
–20
Gate-Source Voltage
V
GS
8
V
T
A
= 25 C
–4.5
–2.9
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 85 C
I
D
–3.2
–2.1
Pulsed Drain Current
I
DM
–20
A
continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
–3.0
–1.3
T
A
= 25 C
3.5
1.5
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 85 C
P
D
1.9
0.8
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
t
10 sec
28
35
Maximum Junction-to-Ambient
a
Steady State
R
thJA
65
81
C/W
Maximum Junction-to-Case
Steady State
R
thJC
4.5
5.6
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
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PDF描述
SI7407DN P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI7413DN P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7413DN-T1-E3 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
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參數(shù)描述
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SI7404DN-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 13.3A 3.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7404DN-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 13.3A 3.8W 13mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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