參數(shù)資料
型號： SI7403BDN
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
中文描述： P通道20 - V（下局副局長）MOSFET的低閾值
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 115K
代理商： SI7403BDN
Si7403BDN
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 73333
S-50519—Rev. A, 21-Mar-05
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0.12
0.14
0.16
0.18
0
4
8
12
16
20
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
2
4
6
8
10
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0
4
8
12
16
20
C
rss
C
oss
C
iss
I
D
= 5.1 A
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
Q
g
Total Gate Charge (nC)
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
I
D
Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
Junction Temperature ( C)
r
D
(
0
2
4
6
8
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
4
8
12
16
20
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
GS
= 5 thru 3 V
25 C
T
C
=
55 C
125 C
1.5 V
Output Characteristics
Transfer Characteristics
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
r
D
2 V
1 V
V
DS
= 10 V
V
DS
= 14 V
2.5 V
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 5.1 A
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
相關PDF資料
PDF描述
SI7403DN P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
SI7407DN P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI7413DN P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7413DN-T1-E3 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
SI7439DP P-Channel 150-V (D-S) MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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SI7403BDN-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 8.0A 9.6W 74mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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