參數(shù)資料
型號： SI3900DV
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
中文描述： 雙N通道20V（D-S）MOSFET
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 40K
代理商： SI3900DV
Si3900DV
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
Document Number: 71178
S-03511
—
Rev. B, 16-Apr-01
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
2
1
0.1
0.01
10
–
3
10
–
2
1
10
600
10
–
1
10
–
4
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
100
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 130 C/W
3. T
JM
–
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
0.01
0
1
6
8
2
4
10
30
0.1
P
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
Time (sec)
–
0.6
–
0.4
–
0.2
–
0.0
0.2
0.4
–
50
–
25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
–
Temperature ( C)
10
–
3
10
–
2
1
10
10
–
1
10
–
4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
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PDF描述
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