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參數(shù)資料
| 型號： | SI3900DV |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| 中文描述： | 雙N通道20V（D-S）MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 40K |
| 代理商： | SI3900DV |
Si3900DV
Vishay Siliconix
Document Number: 71178
S-03511
—
Rev. B, 16-Apr-01
www.vishay.com
3
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0.5
0
1
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4
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6
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0.9
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2.7
3.6
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1.5
2.0
2.5
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
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–
50
–
25
0
25
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75
100
125
150
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150
200
250
300
0
4
8
12
16
20
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 10 V
I
D
= 2.4 A
V
GS
= 4.5 V
I
D
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 2.5 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
–
Q
g
–
Total Gate Charge (nC)
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
C
–
V
G
–
r
D
)
I
D
–
Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
–
Junction Temperature ( C)
(
–
r
D
)
0.00
0.08
0.16
0.24
0.32
0.40
0
1
2
3
4
5
V
GS
–
Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
–
r
)
I
D
= 2.4 A
I
D
= 1 A
1.2
1.5
0.1
1
10
0.00
0.3
0.6
0.9
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
Source-Drain Diode Forward Voltage
V
SD
–
Source-to-Drain Voltage (V)
–
I
S
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI3909DV | Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI3911DV | Dual P-Channel MOSFET |
| SI3915DV | Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| SI3973DV | Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| SI3973DV-T1-E3 | Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| SI3900DV_08 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| SI3900DV-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 2.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI3900DV-T1-E3/BKN | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET; TSOP6 20V Dual N-Channel (D-S) Trench |
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