參數(shù)資料
型號： SI3900DV
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
中文描述： 雙N通道20V（D-S）MOSFET
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 40K
代理商： SI3900DV
Si3900DV
Vishay Siliconix
Document Number: 71178
S-03511—Rev. B, 16-Apr-01
www.vishay.com
1
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.125 @ V
GS
= 4.5 V
0.200 @ V
GS
= 2.5 V
2.4
20
1.8
TSOP-6
Top View
6
4
1
2
3
5
2.85 mm
3 mm
D2
G2
S1
S2
D1
G1
D
1
G
1
S
1
N-Channel MOSFET
D
2
G
2
S
2
N-Channel MOSFET
Parameter
Symbol
5 sec
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
20
Gate-Source Voltage
V
GS
12
V
T
A
= 25 C
2.4
2.0
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 85 C
I
D
1.7
1.4
Pulsed Drain Current (10 s Pulse Width)
I
DM
8
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
1.05
0.75
T
A
= 25 C
1.15
0.83
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 85 C
P
D
0.59
0.53
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
t
5 sec
93
110
Maximum Junction-to-Ambient
a
Steady State
R
thJA
130
150
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
75
90
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
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