參數(shù)資料
型號(hào)： SI3911DV
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual P-Channel MOSFET
中文描述： 雙P溝道MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 47K
代理商： SI3911DV
Si3911DV
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71380
S-20275—Rev. B, 18-Mar-02
www.vishay.com
1
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.145 @ V
GS
= –4.5 V
–2.2
–20
0.200 @ V
GS
= –2.5 V
–1.8
0.300 @ V
GS
= –1.8 V
–1.5
S
2
G
2
D
2
P-Channel MOSFET
TSOP-6
Top View
6
4
1
2
3
5
2.85 mm
3 mm
D2
G2
S1
S2
D1
G1
S
1
G
1
D
1
P-Channel MOSFET
Parameter
Symbol
5 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
–20
Gate-Source Voltage
V
GS
8
V
T
A
= 25 C
–2.2
–1.8
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 70 C
I
D
–1.8
–1.5
Pulsed Drain Current
I
DM
8
A
Continuous Diode Current (Diode Conduction)
a
I
S
–1.05
–0.75
T
A
= 25 C
1.15
0.83
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 70 C
P
D
0.73
0.53
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
t
5 sec
93
110
Maximum Junction-to-Ambient
a
Steady State
R
thJA
130
150
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
90
90
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI3915DV Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI3973DV Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
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SI3983DV Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Si3983DV-T1-E3 Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI3911DV-T1 功能描述:MOSFET 20V 2.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3911DV-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 2.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3911DV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 2.2A 1.15W 145mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3915DV 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI3915DV-T1 功能描述:MOSFET 12V 2.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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