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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S71WS512N80BAIZZ3 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產(chǎn)品（MCP）的閃存和移動(dòng)存儲(chǔ)芯片的CMOS 1.8伏特 |
| 文件頁數(shù)： | 82/142頁 |
| 文件大?。?/td> | 1996K |
| 代理商： | S71WS512N80BAIZZ3 |
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82
S29WSxxxN MirrorBit Flash Family For Multi-chip Products (MCP)
S71WS512NE0BFWZZ_00_ A1 June 28, 2004
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
Notes:
1. Figure shows total number of wait states set to seven cycles. The total number of wait states can be
programmed from two cycles to seven cycles. Clock is set for active rising edge.
2. If any burst address occurs at “address + 1”, “address + 2”, or “address + 3”, additional clock delay cycles
are inserted, and are indicated by RDY.
3. The device is in synchronous mode.
Figure 14. Synchronous Burst Mode Read
Notes:
1. Figure shows total number of wait states set to seven cycles. The total number of wait states can be
programmed from two cycles to seven cycles. Clock is set for active rising edge.
2. If any burst address occurs at “address + 1”, “address + 2”, or “address + 3”, additional clock delay cycles
are inserted, and are indicated by RDY.
3. The device is in synchronous mode with wrap around.
4. DQ0–DQ7 in data waveform indicate the order of data within a given 8-word address range, from lowest to
highest. Starting address in figure is the 4th address in range (AC).
Figure 15. Eight-word Linear Burst with Wrap Around
Da
Da + 1
Da + n
OE#
Data
Addresses
Aa
AVD#
RDY
CLK
CE#
tCAS
tAAS
tAVC
tAVD
tAAH
tOE
tRACC
tOEZ
tCEZ
tIACC
tBDH
7 cycles for initial access shown.
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
1
2
3
4
5
6
7
tRDYS
tBACC
tACC
tCR
DC
DD
OE#
Data
Addresses
AC
AVD#
RDY
CLK
CE#
tCES
tACS
tAVC
tAVD
tACH
tOE
tIACC
tBDH
DE
DF
DB
7 cycles for initial access shown.
Hi-Z
tRACC
1
2
3
4
5
6
7
tRDYS
tBACC
tCR
D8
tRACC
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