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參數(shù)資料
| 型號： | S71WS512N80BAIZZ3 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產(chǎn)品（MCP）的閃存和移動存儲芯片的CMOS 1.8伏特 |
| 文件頁數(shù)： | 134/142頁 |
| 文件大?。?/td> | 1996K |
| 代理商： | S71WS512N80BAIZZ3 |
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134
128Mb pSRAM
S71WS512NE0BFWZZ_00_A1 June 28, 2004
P r e l i m i n a r y
TIMING DIAGRAMS (Continued)
Synchronous Read to Write Timing #1(CE#1 Control)
Note:
This timing diagram assumes CE2=H, the valid clock edge on rising edge and BL=8 or 16.
ADDRESS
ADV#
DQ
WE#
OE#
LB#, UB#
CLK
Valid
CE#1
t
ASVL
t
AHV
t
VPL
t
CLCK
t
ASCL
WAIT#
t
VSCK
t
BS
t
CP
RL=5
D
1
D
2
t
DHCK
t
DHCK
t
DSCK
t
DSCK
D
BL
t
DHCK
t
DSCK
D
3
t
DSCK
t
DHCK
Q
BL-1
Q
BL
t
CHTZ
t
AC
t
CKQX
t
CHZ
t
CKQX
t
CKCLH
t
CKCLH
t
VHVL
t
CKBH
t
CKBH
t
WCB
t
CLTH
t
CKVH
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PDF描述 |
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