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參數(shù)資料
| 型號： | S71WS512N80BAIZZ3 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產(chǎn)品（MCP）的閃存和移動存儲芯片的CMOS 1.8伏特 |
| 文件頁數(shù)： | 79/142頁 |
| 文件大?。?/td> | 1996K |
| 代理商： | S71WS512N80BAIZZ3 |
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June 28, 2004 S71WS512NE0BFWZZ_00_A1
S29WSxxxN MirrorBit Flash Family For Multi-chip Products (MCP)
79
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
AC Characteristics—Synchronous
CLK Characterization
Parameter
Description
54 MHz
66 MHz
Unit
f
CLK
CLK Frequency
Max
54
66
MHz
t
CLK
CLK Period
Min
18.5
15.1
ns
t
CH
CLK High Time
Min
7.4
6.1
ns
t
CL
CLK Low Time
t
CR
CLK Rise Time
Max
3
3
ns
t
CF
CLK Fall Time
Figure 12. CLK Characterization
tCLK
tCL
tCH
tCR
tCF
CLK
tCLK
tCL
tCH
tCR
tCF
CLK DIVIDER
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71WS512N80BAWZZ0 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BAWZZ2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BAWZZ3 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BFEZZ0 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BFEZZ2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S71WS512N80BAWZZ0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BAWZZ2 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BAWZZ3 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BFEZZ0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BFEZZ2 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
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