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參數(shù)資料
| 型號： | S71WS512N80BAIZZ3 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產(chǎn)品（MCP）的閃存和移動存儲芯片的CMOS 1.8伏特 |
| 文件頁數(shù)： | 122/142頁 |
| 文件大?。?/td> | 1996K |
| 代理商： | S71WS512N80BAIZZ3 |
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122
128Mb pSRAM
S71WS512NE0BFWZZ_00_A1 June 28, 2004
P r e l i m i n a r y
TIMING DIAGRAMS (Continued)
Asynchronous Write Timing #3-2 (WE# / LB# / UB# Byte Write Control)
Note:
This timing diagram assumes CE2=H, ADV#=L and OE#=H.
Asynchronous Write Timing #3-3 (WE# / LB# / UB# Byte Write Control)
Note:
This timing diagram assumes CE2=H, ADV#=L and OE#=H.
t
AS
ADDRESS
WE#
CE#1
t
WC
t
WR
t
BW
LB#
ADDRESS VALID
t
AS
t
WR
t
BW
VALID DATA INPUT
DQ0-7
(Input)
t
DH
t
DS
UB#
t
WC
VALID DATA INPUT
t
DH
t
DS
Low
ADDRESS VALID
DQ8-15
(Input)
t
AS
ADDRESS
WE#
CE#1
t
WC
t
BR
t
BW
LB#
ADDRESS VALID
t
AS
t
BR
t
BW
VALID DATA INPUT
DQ0-7
(Input)
t
DH
t
DS
UB#
t
WC
VALID DATA INPUT
t
DH
t
DS
Low
ADDRESS VALID
DQ8-15
(Input)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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