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參數(shù)資料
| 型號： | S71AL016D02-B7 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產(chǎn)品（MCP）的閃存和RAM |
| 文件頁數(shù)： | 54/76頁 |
| 文件大?。?/td> | 909K |
| 代理商： | S71AL016D02-B7 |
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S29AL016D
S29AL016D_00_A1_E August 4, 2004
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
AC Characteristics
Enter
Embedded
Erasing
Temporary Sector Unprotect
Note:
Not 100% tested.
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std
Description
Unit
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
μs
Note:
The system may use CE# or OE# to toggle DQ2 and DQ6. DQ2 toggles only when read at an address within an
erase-suspended sector.
Figure 21. DQ2 vs. DQ6 for Erase and Erase Suspend Operations
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
RESET#
t
VIDR
12 V
0 or 3 V
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
Figure 22. Temporary Sector Unprotect/Timing Diagram
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| S71AL016D02BAWBF3 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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