參數(shù)資料
型號(hào)： S29GL128N11FAI012
廠商： SPANSION LLC
元件分類： DRAM
英文描述： 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology
中文描述： 8M X 16 FLASH 3V PROM, 110 ns, PBGA64
封裝： 13 X 11 MM, FBGA-64
文件頁數(shù)： 78/100頁
文件大?。?/td> 952K
代理商： S29GL128N11FAI012
76
S29GL-N MirrorBit Flash Family
S29GL-N_00_B3 October 13, 2006
D a t a S h e e t
Key to Switching Waveforms
Waveform
Inputs
Outputs
Steady
Changing from H to L
Changing from L to H
Don’t Care, Any Change Permitted
Changing, State Unknown
Does Not Apply
Center Line is High Impedance State (High Z)
V
IO
0.0 V
0.5 V
IO
0.5 V
IO
V
Output
Measurement Level
Input
Note:
If V
IO
< V
CC
, the input measurement reference level is 0.5 V
IO
.
Figure 10. Input Waveforms and
Measurement Levels
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S29GL128N11FAI013 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology
S29GL128N11FAI020 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology
S29GL128N11FAI022 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology
S29GL128N11FAI023 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology
S29GL128N11FAIV10 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
S29GL128N11FAI020 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 128M-Bit 16M x 8/8M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
S29GL128N11FAI023 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 128M-Bit 16M x 8/8M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA T/R
S29GL128N11FAIS30 制造商:Spansion 功能描述:
S29GL128N11FFA010 制造商:Spansion 功能描述:
S29GL128N11FFA013 制造商:Spansion 功能描述:
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