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參數(shù)資料
| 型號： | S29GL064M90FCIR83 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 256,128,64,32,Megabit 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 レm MirrorBit Process Technology |
| 中文描述： | 256,128,64,32，3.0兆伏安只頁面模式閃存具有0.23レ米MirrorBit工藝技術 |
| 文件頁數(shù)： | 96/116頁 |
| 文件大?。?/td> | 1656K |
| 代理商： | S29GL064M90FCIR83 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁當前第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁
94
S29GL-M MirrorBit
TM
Flash Family
S29GL-M_00_B6 October 10, 2006
D a t a S h e e t
Alternate CE# Controlled Erase and Program Operations—S29GL128M
Notes:
1.
2.
3.
4.
Not 100% tested.
See See
Erase and Programming Performance
for more information
For 1–16 words/1–32 bytes programmed.
If a program suspend command is issued within t
, the device requires t
before reading
status data, once programming resumes (that is, the program resume command has been
written). If the suspend command was issued after t
POLL
, status data is available immediately
after programming resumes. See
Figure 24
.
Parameter
Description
Speed Options
Unit
J EDEC
Std.
10
11
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
100
110
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min
45
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recovery Time Before Write (OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE# Setup Time
Min
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE# Hold Time
Min
0
ns
t
ELEH
t
CP
CE# Pulse Width
Min
35
ns
t
EHEL
t
CPH
CE# Pulse Width High
Min
25
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Write Buffer Program Operation (Notes 2, 3)
Typ
240
μs
Single Word Program Operation (Note 2)
Typ
60
Accelerated Single Word Program Operation (Note 2)
Typ
54
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.5
sec
t
RH
RESET# High Time Before Write
Min
50
ns
t
POLL
Program Valid before Status Polling (Note 4)
Max
4
μs
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL064M90TAIR32 | 256,128,64,32,Megabit 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 レm MirrorBit Process Technology |
| S29GL064M90TAIR33 | 256,128,64,32,Megabit 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 レm MirrorBit Process Technology |
| S29GL064M90TAIR40 | 256,128,64,32,Megabit 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 レm MirrorBit Process Technology |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| S29GL064M90TAIR00 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 64M-Bit 8M x 8 90ns 48-Pin TSOP Tray |
| S29GL064M90TAIR2 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29GL064M90TAIR20 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 64M-Bit 8M x 8/4M x 16 90ns 56-Pin TSOP Tray |
| S29GL064M90TAIR3 | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash, 4M x 16, 48 Pin, Plastic, TSSOP |
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