參數(shù)資料
型號(hào)： PHU11NQ10T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS⑩ standard level FET
中文描述： 10.9 A, 100 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
封裝： PLASTIC, I2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 8/12頁(yè)
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代理商： PHU11NQ10T
Philips Semiconductors
PHU11NQ10T
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 28 May 2002
8 of 12
9397 750 09528
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 12. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
I
D
= 11 A; V
DD
= 20 V, 50 V, 80 V
Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
03ai98
0
4
8
12
16
0
0.4
0.8
1.2
1.6
VSD (V)
IS
(A)
Tj = 25
°
C
175
°
C
VGS = 0 V
03aj00
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
QG (nC)
VGS
(V)
ID = 11 A
Tj = 25
°
C
VDD = 20 V
50 V
80 V
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PDF描述
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參數(shù)描述
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