參數(shù)資料
型號： PHU11NQ10T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS⑩ standard level FET
中文描述： 10.9 A, 100 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
封裝： PLASTIC, I2PAK-3
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 84K
代理商： PHU11NQ10T
Philips Semiconductors
PHU11NQ10T
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 28 May 2002
6 of 12
9397 750 09528
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
DS
>
I
D
x R
DSon
Fig 6.
Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
Fig 5.
T
j
= 25
°
C
Fig 7.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values.
Fig 8.
Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature.
03ai95
0
4
8
12
16
0
2
4
6
VDS (V)
ID
(A)
6.5 V
Tj
= 25
°
C
VGS = 4.5 V
10 V
6 V
5.5 V
5 V
7 V
03ai97
0
4
8
12
16
0
2
4
6
8
VGS (V)
ID
(A)
VDS > ID x RDSon
Tj = 25
°
C
175
°
C
03ai96
0
0.1
0.2
0.3
0
4
8
12
16
ID (A)
RDSon
(
)
7 V
VGS = 5 V
Tj = 25
°
C
5.5 V
10 V
6 V
03aa29
0
1
2
3
-60
0
60
120
180
Tj (
o
C)
a
a
R
DSon 25 C
°
)
---------------------------
=
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