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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHU11NQ10T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS⑩ standard level FET |
| 中文描述： | 10.9 A, 100 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| 封裝： | PLASTIC, I2PAK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/12頁(yè) |
| 文件大小： | 84K |
| 代理商： | PHU11NQ10T |
Philips Semiconductors
PHU11NQ10T
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 28 May 2002
7 of 12
9397 750 09528
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 5 V
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 11. Input, output and reverse transfer capacitances as a function of drain-source voltage; typical values.
03aj02
0
1
2
3
4
5
-60
0
60
120
180
Tj (
°
C)
VGS(th)
(V)
min
typ
max
03aj01
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
ID
(A)
0
1
2
3
4
5
VGS(V)
typ
max
min
03ai99
10
102
103
10-1
1
10
102
VDS (V)
C
(pF)
Ciss
Coss
Crss
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHV612 | 1.2A, High Efficiency Step-Down DC/DC Converter; Package: SO; No of Pins: 14; Temperature Range: -40°C to +85°C |
| PHV616 | High Voltage Rectifier |
| PHV620 | Synchronous Regulator Controller for N- or P-Channel MOSFETs |
| PHV624 | High Voltage Rectifier |
| PHV628 | High Voltage Rectifier |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHU11NQ10T,127 | 功能描述:MOSFET TUBE MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHU11NQ10T | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N I-PAK |
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| PHU-131P.HOLDER | 功能描述:PAPER HANDLING UNIT W/ONE SENSOR RoHS:否 類別:計(jì)算機(jī)，辦公室 - 元件，配件 >> 配件 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 附件類型:替代墨盒 技術(shù)規(guī)格:- 適用于相關(guān)產(chǎn)品:- 其它名稱:CMS-INK-RO-C5 |
| PHU-132 | 制造商:Citizen Systems America Corporation 功能描述:Paper Holder Unit, 2 PNE Sensor |
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