參數(shù)資料
型號： PHU11NQ10T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS⑩ standard level FET
中文描述： 10.9 A, 100 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
封裝： PLASTIC, I2PAK-3
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大小： 84K
代理商： PHU11NQ10T
Philips Semiconductors
PHU11NQ10T
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 28 May 2002
3 of 12
9397 750 09528
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of mounting base temperature.
T
mb
= 25
°
C; I
DM
is single pulse; V
GS
= 10V.
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03aa16
0
40
80
120
0
50
100
150
200
Tmb (
°
C)
Pder
(%)
03aa24
0
40
80
120
0
50
100
150
200
Tmb (
°
C)
Ider
(%)
P
der
P
tot 25 C
°
)
----------------------
100
%
×
=
I
der
I
D 25 C
°
)
------------------
100
%
×
=
03ai94
10-1
1
10
102
1
10
102
103
VDS (V)
ID
(A)
DC
Limit RDSon = VDS
/ ID
1 ms
tp = 10
μ
s
100 μs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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PHU11NQ10T 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N I-PAK
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