參數(shù)資料
型號(hào)： PHU11NQ10T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS⑩ standard level FET
中文描述： 10.9 A, 100 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
封裝： PLASTIC, I2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/12頁(yè)
文件大?。?/td> 84K
代理商： PHU11NQ10T
Philips Semiconductors
PHU11NQ10T
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 28 May 2002
4 of 12
9397 750 09528
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
7.
Thermal characteristics
7.1 Transient thermal impedance
Table 4:
Symbol Parameter
R
th(j-mb)
thermal resistance from junction to mounting base
Figure 4
R
th(j-a)
thermal resistance from junction to ambient
Thermal characteristics
Conditions
Min Typ Max Unit
-
-
-
70
2.6
-
K/W
K/W
SOT533 package; vertical in still air
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration.
03ai93
10-2
10-1
1
10
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
tp (s)
Zth(j-mb)
(K/W)
single pulse
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
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