參數(shù)資料
型號: PHD16N03T
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: JFETs
英文描述: TrenchMOS standard level FET
中文描述: 13.1 A, 30 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝: PLASTIC, SC-63, TO-252, DPAK-3
文件頁數(shù): 9/12頁
文件大?。?/td> 240K
代理商: PHD16N03T
Philips Semiconductors
PHD16N03T
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 18 August 2003
9 of 12
9397 750 11672
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
6.
Package outline
Fig 14. SOT428.
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
SOT428
TO-252
SC-63
99-09-13
01-12-11
0
10
20 mm
scale
Plastic single-ended surface mounted package (Philips version of D-PAK); 3 leads
(one lead cropped)
SOT428
E
b2
E1
w
A
M
b
c
b1
L1
L
1
3
2
D
D1
HE
L2
Note
1. Measured from heatsink back to lead.
e1
e
A
A2
A
A1
y
seating plane
mounting
base
A1
(1)
D
b
E1
E
HE
w
y
max.
A2
b2
b1
c
D1
min.
e
e1
L1
min.
L2
L
A
UNIT
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.2
0.2
mm
2.38
2.22
0.65
0.45
0.93
0.73
0.89
0.71
1.1
0.9
5.46
5.26
0.4
0.2
6.22
5.98
4.81
4.45
2.285
4.57
10.4
9.6
0.5
0.9
0.5
6.73
6.47
4.0
2.95
2.55
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