參數(shù)資料
型號： PHD16N03T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS standard level FET
中文描述： 13.1 A, 30 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： PLASTIC, SC-63, TO-252, DPAK-3
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大?。?/td> 240K
代理商： PHD16N03T
Philips Semiconductors
PHD16N03T
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 18 August 2003
4 of 12
9397 750 11672
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
4.
Thermal characteristics
4.1 Transient thermal impedance
Table 3:
Symbol Parameter
R
th(j-mb)
thermal resistance from junction to mounting base
Figure 4
R
th(j-a)
thermal resistance from junction to ambient
Thermal characteristics
Conditions
Min
-
-
Typ
-
75
Max
4.6
-
Unit
K/W
K/W
SOT428 minimum footprint;
vertical in still air;
mounted on a PCB
SOT404 minimum footprint;
vertical in still air;
mounted on a PCB
-
50
-
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration.
03an45
10-1
1
10
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
tp (s)
Zth(j-mb)
(K/W)
single pulse
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
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PDF描述
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參數(shù)描述
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