參數(shù)資料
型號(hào)： PHD16N03T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS standard level FET
中文描述： 13.1 A, 30 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： PLASTIC, SC-63, TO-252, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 7/12頁(yè)
文件大?。?/td> 240K
代理商： PHD16N03T
Philips Semiconductors
PHD16N03T
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 18 August 2003
7 of 12
9397 750 11672
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 5 V
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 11. Input, output and reverse transfer capacitances as a function of drain-source voltage; typical values.
03aa32
0
1
2
3
4
5
-60
0
60
120
180
Tj (
°
C)
VGS(th)
(V)
max
min
typ
03aa35
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
ID
(A)
0
2
4
6
VGS (V)
max
typ
min
03an51
10
102
103
10-1
1
10
102
VDS (V)
C
(pF)
Ciss
Coss
Crss
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PDF描述
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參數(shù)描述
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PHD20N06T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS standard level FET
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