參數(shù)資料
型號(hào)： PHD16N03T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS standard level FET
中文描述： 13.1 A, 30 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： PLASTIC, SC-63, TO-252, DPAK-3
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大小： 240K
代理商： PHD16N03T
Philips Semiconductors
PHD16N03T
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 18 August 2003
3 of 12
9397 750 11672
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of mounting base temperature.
T
mb
= 25
°
C; I
DM
is single pulse; V
GS
= 10 V.
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03aa16
0
40
80
120
0
50
100
150
200
Tmb (
°
C)
Pder
(%)
03aa24
0
40
80
120
0
50
100
150
200
Tmb (
°
C)
Ider
(%)
P
der
P
P
tot 25 C
°
)
-----------------------
100
%
×
=
I
der
I
I
D 25 C
°
)
-------------------
100
%
×
=
03an46
1
10
102
1
10
102
VDS (V)
ID
(A)
DC
10 ms
Limit RDSon = VDS
/ ID
1 ms
tp = 10
μ
s
100
μ
s
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PDF描述
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