參數(shù)資料
型號： PHD16N03T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS standard level FET
中文描述： 13.1 A, 30 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： PLASTIC, SC-63, TO-252, DPAK-3
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大小： 240K
代理商： PHD16N03T
Philips Semiconductors
PHD16N03T
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 18 August 2003
8 of 12
9397 750 11672
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 12. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
I
D
= 15 A; V
DD
= 15 V
Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
03an50
0
5
10
15
20
0
0.5
1
1.5
VSD (V)
IS
(A)
Tj = 25
°
C
175
°
C
VGS = 0 V
03an52
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
QG (nC)
VGS
(V)
ID = 15 A
Tj = 25
°
C
VDD = 15 V
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PDF描述
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參數(shù)描述
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