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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PC28F640J3C-150 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| 中文描述： | 英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器（J3） |
| 文件頁數(shù)： | 25/72頁 |
| 文件大?。?/td> | 905K |
| 代理商： | PC28F640J3C-150 |
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256-Mbit J3 (x8/x16)
Datasheet
25
NOTES:
1. CE
low is defined as the last edge of CE0, CE1, or CE2 that enables the device. CE
X
high is defined at the
first edge of CE0, CE1, or CE2 that disables the device (see
Table 13
).
2. In this diagram, BYTE# is asserted high.
Figure 11. 8-word Asynchronous Page Mode Read
1
2
6
8
R10
R8
R15
R10
R5
R9
R7
R6
R4
R3
R1
R2
A[MAX:4] [A]
A[3:1] [A]
CEx [E]
OE# [G]
WE# [W]
D[15:0] [Q]
RP# [P]
BYTE#
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PC28F640J3A-110 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| PC28F640J3A-115 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| PC28F256J3A-115 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| PC28F256J3A-120 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PC28F640J3D75 | 制造商:Intel 功能描述: |
| PC28F640J3D-75 | 制造商:Intel 功能描述:NOR Flash, 4M x 16, 64 Pin, Plastic, BGA |
| PC28F640J3D75A | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 75NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| PC28F640J3D75B | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 75NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| PC28F640J3D75D | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 64M-Bit 8M x 8/4M x 16 75ns 64-Pin EZBGA Tray |
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