參數(shù)資料
型號(hào)： PC28F640J3C-150
廠商： Intel Corp.
英文描述： Intel StrataFlash Memory (J3)
中文描述： 英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器（J3）
文件頁數(shù)： 14/72頁
文件大?。?/td> 905K
代理商： PC28F640J3C-150
256-Mbit J3 (x8/x16)
14
Datasheet
4.0
Ballout and Signal Descriptions
Intel StrataFlash
memory is available in three package types. Each density of the J3C is supported
on both 64-ball Easy BGA and 56-lead Thin Small Outline Package (TSOP) packages. A 48-ball
VF BGA package is available on 32 and 64 Mbit devices.
Figure 6
,
Figure 7
, and
Figure 8
show the
pinouts.
4.1
Easy BGA Ballout (32/64/128/256 Mbit)
NOTES:
1. Address A22 is only valid on 64-Mbit densities and above, otherwise, it is a no connect (NC).
2. Address A23 is only valid on 128-Mbit densities and above, otherwise, it is a no connect (NC).
3. Address A24 is only valid on 256-Mbit densities and above, otherwise, it is a no connect (NC).
Figure 6. Intel
StrataFlash
Memory Easy BGA Ballout (32/64/128/256 Mbit)
Easy BGA
Top View- Ball side down
1
8
2
3
4
5
6
7
CE2# RFU
D13
VSS
D7
A24
256M
VSS
H
WE#
G
BYTE#
OE#
F
E
STS
D
A4
A5
A11
RFU
RP#
A16
A17
RFU
C
A3
A7
A10
A15
A12
A20 A21
RFU
B
A2
VSS
A9
A14
CEO#
A19 CE1#
RFU
A
A1
A6
A8
A13
VPEN
A18
A22
VCC
A23
128M
A0
D2
D5
VCCQ
D14
D6
D0
D10
D12
D11
RFU
RFU
D8
D1
D9
D4
D3
D15
RFU
Easy BGA
Bottom View- Ball side up
1
8
2
3
4
5
6
7
CE2#
RFU
D13
VSS
D7
A24
256M
VSS
H
WE#
G
BYTE#
OE#
F
E
STS
D
A4
A5
A11
RFU RP#
A16
A17
RFU
C
A3
A7
A10
A15
A12
A20
A21
RFU
B
A2
VSS
A9
A14 CEO#
A19
CE1#
RFU
A
A1
A6
A8
A13 VPEN
A18
A22
VCC
A23
A0
D2
D5 VCCQ
D14
D6
D0
D10
D12 D11
RFU RFU
D8
D1
D9
D4
D3
D15 RFU
VCC
VCC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PC28F640J3A-110 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F640J3A-115 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F256J3A-115 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F256J3A-120 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F128J3A-150 KPTC 32C 32#20 SKT PLUG
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PC28F640J3D75 制造商:Intel 功能描述:
PC28F640J3D-75 制造商:Intel 功能描述:NOR Flash, 4M x 16, 64 Pin, Plastic, BGA
PC28F640J3D75A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 75NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
PC28F640J3D75B 功能描述:IC FLASH 64MBIT 75NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
PC28F640J3D75D 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 64M-Bit 8M x 8/4M x 16 75ns 64-Pin EZBGA Tray
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*