參數(shù)資料
型號(hào)： PC28F640J3C-120
廠商： Intel Corp.
英文描述： Intel StrataFlash Memory (J3)
中文描述： 英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器（J3）
文件頁(yè)數(shù)： 49/72頁(yè)
文件大?。?/td> 905K
代理商： PC28F640J3C-120
256-Mbit J3 (x8/x16)
Datasheet
49
13.4
Array Protection
The V
PEN
signal is a hardware mechanism to prohibit array alteration. When the V
PEN
voltage is
below the V
PENLK
voltage, array contents cannot be altered. To ensure a proper erase or program
operation, V
PEN
must be set to a valid voltage level. To determine the status of an erase or program
operation, poll the Status Register and analyze the bits.
6
Factory
1
0
0
0
0
1
0
0
0
7
Factory
1
0
0
0
0
1
0
0
1
8
User
1
0
0
0
0
1
0
1
0
9
User
1
0
0
0
0
1
0
1
1
A
User
1
0
0
0
0
1
1
0
0
B
User
1
0
0
0
0
1
1
0
1
C
User
1
0
0
0
0
1
1
1
0
D
User
1
0
0
0
0
1
1
1
1
E
User
1
0
0
0
1
0
0
0
0
F
User
1
0
0
0
1
0
0
0
1
NOTE:
All address lines not specified in the above table must be 0 when accessing the Protection Register,
i.e.g., A[MAX:9] = 0.
Table 21. Byte-Wide Protection Register Addressing (Sheet 2 of 2)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PC28F256J3C-115 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F128J3C-115 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F640J3C-115 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F320J3C-115 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F128J3C-120 Intel StrataFlash Memory (J3)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PC28F640J3C-125 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F640J3C-150 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F640J3D75 制造商:Intel 功能描述:
PC28F640J3D-75 制造商:Intel 功能描述:NOR Flash, 4M x 16, 64 Pin, Plastic, BGA
PC28F640J3D75A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 75NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
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