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參數(shù)資料
| 型號： | PC28F640J3C-120 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| 中文描述： | 英特爾StrataFlash存儲器（J3） |
| 文件頁數(shù)： | 27/72頁 |
| 文件大?。?/td> | 905K |
| 代理商： | PC28F640J3C-120 |
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256-Mbit J3 (x8/x16)
Datasheet
27
7.3
Block Erase, Program, and Lock-Bit Configuration
Performance
Table 10. Configuration Performance
#
Sym
Parameter
Typ
Max
(8)
Unit
Notes
W16
Write Buffer Byte Program Time
(Time to Program 32 bytes/16 words)
218
654
μs
1,2,3,4,5,6,7
W16
t
WHQV3
t
EHQV3
Byte Program Time (Using Word/Byte Program Command)
210
630
μs
1,2,3,4
Block Program Time (Using Write to Buffer Command)
0.8
2.4
sec
1,2,3,4
W16
t
WHQV4
t
EHQV4
Block Erase Time
1.0
5.0
sec
1,2,3,4
W16
t
WHQV5
t
EHQV5
Set Lock-Bit Time
64
75/85
μs
1,2,3,4,9
W16
t
WHQV6
t
EHQV6
Clear Block Lock-Bits Time
0.5
0.70/1.4
sec
1,2,3,4,10
W16
t
WHRH1
t
EHRH1
Program Suspend Latency Time to Read
25
75/90
μs
1,2,3,9
W16
t
WHRH
t
EHRH
Erase Suspend Latency Time to Read
26
35/40
μs
1,2,3,9
NOTES:
1. Typical values measured at T
A
= +25 °C and nominal voltages. Assumes corresponding lock-bits are
not set. Subject to change based on device characterization.
2. These performance numbers are valid for all speed versions.
3. Sampled but not 100% tested.
4. Excludes system-level overhead.
5. These values are valid when the buffer is full, and the start address is aligned on a 32-byte boundary.
6. Effective per-byte program time (t
WHQV1
, t
EHQV1
) is 6.8 μs/byte (typical).
7. Effective per-word program time (t
WHQV2
, t
EHQV2
) is 13.6 μs/word (typical).
8. Max values are measured at worst case temperature and V
CC
corner after 100k cycles (except as
noted).
9. Max values are expressed at -25 °C/-40 °C.
10.Max values are expressed at 25 °C/-40 °C.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PC28F256J3C-115 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| PC28F128J3C-115 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| PC28F640J3C-115 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| PC28F320J3C-115 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| PC28F128J3C-120 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PC28F640J3C-125 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| PC28F640J3C-150 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| PC28F640J3D75 | 制造商:Intel 功能描述: |
| PC28F640J3D-75 | 制造商:Intel 功能描述:NOR Flash, 4M x 16, 64 Pin, Plastic, BGA |
| PC28F640J3D75A | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 75NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
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