參數(shù)資料
型號(hào)： PC28F640J3C-120
廠商： Intel Corp.
英文描述： Intel StrataFlash Memory (J3)
中文描述： 英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器（J3）
文件頁(yè)數(shù)： 48/72頁(yè)
文件大?。?/td> 905K
代理商： PC28F640J3C-120
256-Mbit J3 (x8/x16)
48
Datasheet
NOTE:
A0 is not used in x16 mode when accessing the Protection Register map (See
Table 8
for x16
addressing). For x8 mode A0 is used (See
Table 21
for x8 addressing).
Figure 17. Protection Register Memory Map
0x88
0x85
0x84
64-bit Segment
(User-Programmable)
128-Bit Protection Register 0
0x81
0x80
Lock Register 0
64-bit Segment
(Factory-Programmed)
15 14 13 12 11 10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Word
Address
A[23:1]: 128 Mbit
A[21:1]: 32 Mbit
A[22:1]: 64 Mbit
A[24:1]: 256 Mbit
Table 20. Word-Wide Protection Register Addressing
Word
Use
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
LOCK
Both
1
0
0
0
0
0
0
0
0
Factory
1
0
0
0
0
0
0
1
1
Factory
1
0
0
0
0
0
1
0
2
Factory
1
0
0
0
0
0
1
1
3
Factory
1
0
0
0
0
1
0
0
4
User
1
0
0
0
0
1
0
1
5
User
1
0
0
0
0
1
1
0
6
User
1
0
0
0
0
1
1
1
7
User
1
0
0
0
1
0
0
0
Table 21. Byte-Wide Protection Register Addressing (Sheet 1 of 2)
Byte
Use
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
LOCK
Both
1
0
0
0
0
0
0
0
0
LOCK
Both
1
0
0
0
0
0
0
0
1
0
Factory
1
0
0
0
0
0
0
1
0
1
Factory
1
0
0
0
0
0
0
1
1
2
Factory
1
0
0
0
0
0
1
0
0
3
Factory
1
0
0
0
0
0
1
0
1
4
Factory
1
0
0
0
0
0
1
1
0
5
Factory
1
0
0
0
0
0
1
1
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PC28F256J3C-115 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F128J3C-115 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F640J3C-115 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F320J3C-115 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F128J3C-120 Intel StrataFlash Memory (J3)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PC28F640J3C-125 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F640J3C-150 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F640J3D75 制造商:Intel 功能描述:
PC28F640J3D-75 制造商:Intel 功能描述:NOR Flash, 4M x 16, 64 Pin, Plastic, BGA
PC28F640J3D75A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 75NS 64EZBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ
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