參數(shù)資料
型號： NTD4815N
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Power MOSFET 30 V, 35 A(30V, 35A, 功率MOSFET)
中文描述： 功率MOSFET 30五，35甲（30V的，35A條，功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 81K
代理商： NTD4815N
NTD4815N
http://onsemi.com
7
PACKAGE DIMENSIONS
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
D
A
K
B
R
V
S
F
L
G
2 PL
M
0.13 (0.005)
T
E
C
U
J
H
T
SEATING
PLANE
Z
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
R
S
U
V
Z
MIN
0.235
0.250
0.086
0.027
0.018
0.037
0.180 BSC
0.034
0.018
0.102
0.090 BSC
0.180
0.025
0.020
0.035
0.155
MAX
0.245
0.265
0.094
0.035
0.023
0.045
MIN
5.97
6.35
2.19
0.69
0.46
0.94
4.58 BSC
0.87
0.46
2.60
2.29 BSC
4.57
0.63
0.51
0.89
3.93
MAX
6.22
6.73
2.38
0.88
0.58
1.14
MILLIMETERS
INCHES
0.040
0.023
0.114
1.01
0.58
2.89
0.215
0.040
0.050
5.45
1.01
1.27
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
1
2
3
4
5.80
0.228
2.58
0.101
1.6
0.063
6.20
0.244
3.0
0.118
6.172
0.243
mm
inches
SCALE 3:1
DPAK (SINGLE GAUGE)
CASE 369C
ISSUE O
*For additional information on our PbFree strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
SOLDERING FOOTPRINT*
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PDF描述
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參數(shù)描述
NTD4815N-1G 功能描述:MOSFET NFET 30V 35A 15MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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NTD4815N-35G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET N 30V 3 I-PAK
NTD4815NH 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 35 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK
NTD4815NH-1G 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 40A 13MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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