參數(shù)資料
型號： NTD4815N
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Power MOSFET 30 V, 35 A(30V, 35A, 功率MOSFET)
中文描述： 功率MOSFET 30五，35甲（30V的，35A條，功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 3/8頁
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代理商： NTD4815N
NTD4815N
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
= 25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Unit
Max
Typ
Min
Test Condition
Symbol
SWITCHING CHARACTERISTICS
(Note 4)
TurnOn Delay Time
t
d(ON)
V
GS
= 11.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 15 A, R
G
= 3.0
6.3
ns
Rise Time
t
r
17.6
TurnOff Delay Time
t
d(OFF)
18.4
Fall Time
t
f
2.3
DRAINSOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V
SD
V
GS
= 0 V,
I
S
= 30 A
T
J
= 25
°
C
1.0
1.2
V
T
J
= 125
°
C
0.92
Reverse Recovery Time
t
RR
V
GS
= 0 V, dIS/dt = 100 A/ s,
I
S
= 30 A
15.3
ns
Charge Time
t
a
8.7
Discharge Time
t
b
6.6
Reverse Recovery Charge
Q
RR
5.5
nC
PACKAGE PARASITIC VALUES
Source Inductance
L
S
T
A
= 25
°
C
2.49
nH
Drain Inductance, DPAK
L
D
0.0164
Drain Inductance, IPAK
L
D
1.88
Gate Inductance
L
G
3.46
Gate Resistance
R
G
2.6
3. Pulse Test: pulse width
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
300 s, duty cycle
2%.
相關PDF資料
PDF描述
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NTD5406N Power MOSFET 40 V, 70 A(40V, 70A, 功率MOSFET)
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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NTD4815N-35G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET N 30V 3 I-PAK
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NTD4815NH-1G 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 40A 13MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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