參數(shù)資料
型號： NSS30100LT1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 30V, 2A, Low VCE(sat) PNP Transistor(30V,2A,低VCE(sat)，PNP型晶體管)
中文描述： 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大小： 64K
代理商： NSS30100LT1G
NSS30100LT1G
http://onsemi.com
5
PACKAGE DIMENSIONS
SOT23 (TO236)
CASE 31808
ISSUE AH
STYLE 6:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
D
J
K
L
A
C
B S
H
G
V
3
1
2
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
MIN
0.1102
0.0472
0.0350
0.0150
0.0701
0.0005
0.0034
0.0140
0.0350
0.0830
0.0177
MAX
0.1197
0.0551
0.0440
0.0200
0.0807
0.0040
0.0070
0.0285
0.0401
0.1039
0.0236
MIN
2.80
1.20
0.89
0.37
1.78
0.013
0.085
0.35
0.89
2.10
0.45
MAX
3.04
1.40
1.11
0.50
2.04
0.100
0.177
0.69
1.02
2.64
0.60
MILLIMETERS
INCHES
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEAD
FINISH THICKNESS. MINIMUM LEAD THICKNESS
IS THE MINIMUM THICKNESS OF BASE
MATERIAL.
4. 31803 AND 07 OBSOLETE, NEW STANDARD
31808.
mm
inches
SCALE 10:1
0.8
0.031
0.9
0.035
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
*For additional information on our PbFree strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
SOLDERING FOOTPRINT*
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NSS30101LT1G 30 V, 2 A, Low VCE(sat) NPN Transistor(30V, 2A, 低VCE(sat) NPN晶體管)
NSS30201MR6T1G 30V, 3A, Low VCE(sat) NPN Transistor(30V, 3A, 低VCE(sat) NPN晶體管)
NSS35200CF8T1G High Current Surface Mount PNP Silicon Low VCE-SAT Switching Transistor for Load Management in Portable Applications
NSS35200MR6T1G 35 V, 5 A, Low VCE(sat) PNP Transistor(35V, 5A, 低VCE(sat) PNP晶體管)
NSS40200LT1G 40 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor(40V, 4.0A, 低VCE(sat) PNP晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NSS30101LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 30V Low VCEsat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NSS30201MR6T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 30V Low VCEsat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NSS35200CF8T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 35V Low VCEsat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NSS35200CF8T1G_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:35 V, 7 A, Low VCE(sat) PNP Transistor
NSS35200CF8TIG 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*