參數(shù)資料
型號(hào)： NSS30100LT1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 30V, 2A, Low VCE(sat) PNP Transistor(30V,2A,低VCE(sat)，PNP型晶體管)
中文描述： 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大小： 64K
代理商： NSS30100LT1G
NSS30100LT1G
http://onsemi.com
4
0.1
Figure 7. Safe Operating Area
V
CE
, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10
IC
0.01
0.1
1.0
10
100
0.1
1.0
Figure 8. Normalized Thermal Response
t, TIME (sec)
1.0E+00
1.0E03
1.0E02
1E05
0.01
0.1
1.0
100
1000
1.0E01
0.0001
0.001
10
Rt
,
100 s
1 ms
10 ms
100 ms
1 s
2 s
SINGLE PULSE TEST AT T
amb
= 25
°
C
D = 0.01
0.02
0.05
r(t)
0.2
0.5
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PDF描述
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參數(shù)描述
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NSS30201MR6T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 30V Low VCEsat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NSS35200CF8T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 35V Low VCEsat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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