參數(shù)資料
型號： NSS30100LT1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 30V, 2A, Low VCE(sat) PNP Transistor(30V,2A,低VCE(sat)，PNP型晶體管)
中文描述： 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 64K
代理商： NSS30100LT1G
NSS30100LT1G
http://onsemi.com
3
Figure 1. DC Current Gain versus
Collector Current
Figure 2. DC Current Gain versus
Collector Current
Figure 3. “On” Voltages
Figure 4. Base Emitter Saturation Voltage
versus Collector Current
Figure 5. Collector Emitter Saturation Voltage
versus Collector Current
Figure 6. Collector Emitter Saturation Voltage
versus Collector Current
10
0.001
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
200
150
100
50
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1000
1.0
130
70
50
100
1000
1.0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
0.4
0.3
0.2
0.1
0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.01
0.001
1.0
0.95
0.6
0.55
0.5
1.0
0.01
I
B
, BASE CURRENT (mA)
1.0
0.6
0.4
0.2
0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.001
1.8
1.0
0.8
0.6
0.2
0
0.1
0.1
hF
V
VB
0
0.01
0.1
1.0
10
110
150
170
10
0.1
1.0
10
,
VC
10
1000
100
0.8
0.01
10
1.0
0.4
VC
V
CE
= 2.0 V
hF190
210
230
V
CE
= 1.0 V
125
°
C
25
°
C
55
°
C
0.8
0.7
0.6
0.5
0.9
V
BE(sat)
V
CE(sat)
V
BE(on)
0.7
0.65
0.8
0.75
0.9
0.85
I
C
/I
B
= 100
I
C
/I
B
= 10
V
1.6
1.4
1.2
V
I
C
/I
B
= 100
I
C
/I
B
= 10
1000 mA
100 mA
50 mA
10 mA
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PDF描述
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