參數(shù)資料
型號： NSS30100LT1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 30V, 2A, Low VCE(sat) PNP Transistor(30V,2A,低VCE(sat)，PNP型晶體管)
中文描述： 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 64K
代理商： NSS30100LT1G
NSS30100LT1G
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Breakdown Voltage
(I
C
= 10 mAdc, I
B
= 0)
V
(BR)CEO
30
Vdc
CollectorBase Breakdown Voltage
(I
C
= 0.1 mAdc, I
E
= 0)
V
(BR)CBO
50
Vdc
EmitterBase Breakdown Voltage
(I
E
= 0.1 mAdc, I
C
= 0)
V
(BR)EBO
5.0
Vdc
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 30 Vdc, I
E
= 0)
I
CBO
0.1
Adc
CollectorEmitter Cutoff Current
(V
CES
= 30 Vdc)
I
CES
0.1
Adc
Emitter Cutoff Current
(V
EB
= 4.0 Vdc)
I
EBO
0.1
Adc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain (Note 4) (Figure 1)
(I
C
= 1.0 mA, V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= 500 mA, V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= 1.0 A, V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= 2.0 A, V
CE
= 2.0 V)
h
FE
100
100
80
40
300
CollectorEmitter Saturation Voltage (Note 4) (Figure 3)
(I
C
= 0.5 A, I
B
= 0.05 A)
(I
C
= 1.0 A, I
B
= 0.1 A)
(I
C
= 2.0 A, I
B
= 0.2 A)
V
CE(sat)
0.25
0.30
0.65
V
BaseEmitter Saturation Voltage (Note 4) (Figure 2)
(I
C
= 1.0 A, I
B
= 0.1 A)
V
BE(sat)
1.2
V
BaseEmitter Turnon Voltage (Note 4)
(I
C
= 1.0 A, V
CE
= 2.0 V)
V
BE(on)
1.1
V
Cutoff Frequency
(I
C
= 100 mA, V
CE
= 5.0 V, f = 100 MHz)
f
T
100
MHz
Output Capacitance (f = 1.0 MHz)
Cobo
15
pF
4. Pulsed Condition: Pulse Width = 300 msec, Duty Cycle
≤
2%.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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NSS30201MR6T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 30V Low VCEsat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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