參數(shù)資料
型號(hào)： NE962R575
廠商： NEC Corp.
英文描述： 0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
中文描述： 0.5蠟質(zhì)，Ku波段功率GaAs場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 62K
代理商： NE962R575
Preliminary Data Sheet P14387EJ1V0DS00
6
NE960R5 SERIES
[NE961R500]
TEST CONDITIONS: V
DS
= 9 V, I
Dset
= 180 mA
FREQUENCY
GHz
S
11
S
21
S
12
S
22
MAG.
ANG. (deg.)
MAG.
ANG. (deg.)
MAG.
ANG. (deg.)
MAG.
ANG. (deg.)
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
0.81
0.79
0.78
0.79
0.78
0.77
0.76
0.76
0.76
0.77
0.77
0.79
0.81
0.81
0.81
0.80
0.81
134
149
159
164
168
168
171
175
178
171
164
160
155
153
151
148
144
6.37
3.73
2.64
2.18
1.83
1.58
1.32
1.24
1.14
1.03
0.94
0.87
0.69
0.68
0.64
0.62
0.47
163
170
151
125
97
69
43
14
13
40
65
89
116
153
176
149
114
0.040
0.042
0.047
0.053
0.060
0.061
0.072
0.098
0.097
0.112
0.153
0.111
0.189
0.145
0.192
0.205
0.267
105
140
176
140
99
67
18
6
49
85
113
146
178
161
119
81
69
0.17
0.18
0.20
0.24
0.29
0.34
0.38
0.43
0.47
0.50
0.53
0.56
0.57
0.58
0.58
0.58
0.58
90
107
118
127
132
136
138
139
139
141
145
149
156
161
166
174
175
Caution S-parameters include bond wires.
Gate
: Total 2 wires, 1 per bond pad, 300
μ
m long each wire.
Drain
: Total 2 wires, 1 per bond pad, 300
μ
m long each wire.
Source: Total 4 wires, 1 per bond pad, 300
μ
m long each wire.
Wire
: 25
μ
m diameter, gold.
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PDF描述
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