參數(shù)資料
型號： NE97733-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： 進步黨硅高頻晶體管
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 45K
代理商： NE97733-T1
PART NUMBER
EIAJ
1
REGISTERED NUMBER
PACKAGE OUTLINE
PARAMETERS AND CONDITIONS
Gain Bandwidth Product at V
CE
= -8 V, I
C
= -20 mA
NE97733
2SA1977
33
TYP
8.5
SYMBOLS
f
T
UNITS
GHz
MIN
6.0
MAX
NF
Noise Figure
at V
CE
= -8 V, I
C
= -3 mA
dB
1.5
3.0
|S
21E
|
2
Insertion Power Gain at V
CE
= -8 V, I
C
= -20 mA, f = 1 GHz
dB
8.0
12.0
h
FE
Forward Current Gain Ratio at V
CE
= -8 V, I
C
= -20 mA
20
40
100
I
CBO
Collector Cutoff Current at V
CB
= -10 V, I
E
= 0
μ
A
-0.1
I
EBO
Emitter Cutoff Current at V
BE
= -1 V, I
C
= 0
μ
A
-0.1
C
RE2
Feedback Capacitance at V
CB
= -10 V, I
E
= 0 mA, f = 1 MHz
pF
0.5
0.1
P
T
Total Power Dissipation
mW
200
PNP SILICON HIGH
FREQUENCY TRANSISTOR
FEATURES
HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT:
f
T
= 8.5 GHz TYP
HIGH SPEED SWITCHING CHARACTERISTICS
NPN COMPLIMENT AVAILABLE:
NE68133
HIGH INSERTION POWER GAIN:
|S
21E
|
2
= 12 dB at 1 GHz
DESCRIPTION
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C)
Notes:
1. Electronic Industrial Association of Japan.
2. Capacitance is measured with emitter and case connected to the guard terminal at the bridge.
NE97733
California Eastern Laboratories
The NE97733 PNP silicon transistor is designed for
ultrahigh speed current mode switching applications and
microwave amplifiers up to 3.5 GHz. The NE97733 offers
excellent performance and reliability at low cost.
33 (SOT 23 STYLE)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE97833 PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE97833-T1 PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NECW008AT NICHIA CHIP TYPE WHITE LED
NEL200101-24 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR L Band Power Amplifier
NEL2004F02-24 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Solder; Body Material:Aluminum; Series:PT02; Number of Contacts:15; Connector Shell Size:14; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Box Mount Receptacle
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE97733-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 PNP High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE97733-T1B-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 PNP Silicon HI Freq Transist 8.5GHzfT RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE97833 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 PNP High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE97833-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 PNP High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE97833-T1 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans GP BJT PNP 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
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