參數(shù)資料
型號(hào)： NE97733-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： 進(jìn)步黨硅高頻晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 45K
代理商： NE97733-T1
NE97733
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
1
(T
A
= 25
°
C)
SYMBOLS
PARAMETERS
V
CBO
Collector to Base Voltage
V
CEO
Collector to Emitter Voltage
V
EBO
Emitter to Base Voltage
I
C
Collector Current
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
UNITS
V
V
V
mA
°
C
°
C
RATINGS
-20
-12
-3
-50
150
-65 to +200
Note:
1. Operation in excess of any one of these parameters may result
in permanent damage.
T
T
I
2
|
2
(
G
T
(
Collector Current, I
C
(mA)
Collector Current, I
C
(mA)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
A
= 25
°
C)
DC POWER DERATING CURVES
INSERTION GAIN vs.
FREQUENCY
Ambient Temperature, T
A
(
°
C)
Frequency, f (GHz)
GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.
COLLECTOR CURRENT
INSERTION GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
D
F
Collector Current, I
C
(mA)
I
2
|
2
(
V
CE
= -8V
100
50
40
30
20
10
5
4
3
2
1
-0.1
-1.0
-10
-100
-1000
NE97733
FREE AIR
400
300
200
100
0
0
50
100
150
200
V
CE
= -8 V
I
C
= -20 mA
35
30
25
20
15
10
5
0
-5
-10
-15
0.1
0.2
0.3 0.40.5
1.0
2.0
3.0
V
CE
= -8 V
10
8
6
4
2
0
-1
-10
-100
V
CE
= -8 V
f = 1 GHz
5
10
15
0
-1
-10
100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE97833 PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE97833-T1 PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NECW008AT NICHIA CHIP TYPE WHITE LED
NEL200101-24 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR L Band Power Amplifier
NEL2004F02-24 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Solder; Body Material:Aluminum; Series:PT02; Number of Contacts:15; Connector Shell Size:14; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Box Mount Receptacle
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE97733-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 PNP High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE97733-T1B-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 PNP Silicon HI Freq Transist 8.5GHzfT RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE97833 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 PNP High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE97833-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 PNP High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE97833-T1 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans GP BJT PNP 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
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